世紀(jì)金光憑借"公斤級(jí)高純碳化硅粉的制備方法",喜獲"中國(guó)好"提名獎(jiǎng)。 據(jù)悉,此次"交通銀行杯中國(guó)好"的專家團(tuán),由中國(guó)工程院倪光南院士為科學(xué)家,匯聚...馬可波羅網(wǎng)(makepolo)提供技術(shù)配方)生產(chǎn)碳化硅工藝配方含原料配比),產(chǎn)品詳情:所在地:本溪市、服務(wù)內(nèi)容:,技術(shù),配方,工藝,資料,文獻(xiàn),更多產(chǎn)

本發(fā)明技術(shù)資料屬于碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種生長(zhǎng)碳化硅晶體的裝置,包括坩堝蓋和坩堝,坩堝蓋下部設(shè)有籽晶托,籽晶托上粘有籽晶,坩堝壁...人民網(wǎng)濟(jì)南12月15日電12月13日上午,山東省人民政府新聞辦公室召開新聞發(fā)布會(huì),公布山東省首批15項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)。中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

五耐集團(tuán)發(fā)明包括微孔剛玉磚、碳復(fù)合磚、微孔模壓炭塊、微孔鋁碳磚、鐵水預(yù)處理用鋁碳化硅碳磚、耐酸磚、低蠕變系列耐材等10項(xiàng),為國(guó)內(nèi)煉鐵系統(tǒng)耐材龍頭企業(yè)...本技術(shù)資料提供一種在采用熱CVD法進(jìn)行的SiC薄膜的外延生長(zhǎng)中能夠提高摻雜密度的面內(nèi)均勻性、并且使SiC薄膜以均勻的膜厚生長(zhǎng)的方法。所述方法為碳

而基本半導(dǎo)體的碳化硅二極管即是采用了Asron開發(fā)的3DSIC?技術(shù),該技術(shù)可以令二極管器件在擁有碳化硅材料優(yōu)勢(shì)的同時(shí),降低30%功耗并提高電流密度和可...5小時(shí),燒結(jié)得到碳化硅加碳復(fù)相陶瓷密封材料。 [0006] 如中國(guó)發(fā)明申請(qǐng)(申請(qǐng)[0010] 為了解決上述碳化硼碳化硅陶瓷制備中存在的技術(shù)問題,本發(fā)明的個(gè)目的

本發(fā)明涉及碳化硅冶煉,特別涉及一種。背景技術(shù)工業(yè)用碳化硅于1891年研制成功,是早的人造磨料。在隕石和地殼中雖有少量碳化硅存在,但迄今尚未找到可...nbspSEMICONDUCTOR)創(chuàng)始人、總經(jīng)理、技術(shù)總監(jiān)黃興在本次路演中介紹,公司已布局核心14項(xiàng),其中已授權(quán)3項(xiàng),另掌握碳化硅與氮化鎵的全套工藝菜單等重要

名稱 一種籽晶處理方法和生長(zhǎng)碳化硅單晶的方法 在所述有機(jī)物中碳元素的質(zhì)量百分比大于50%然后將...該區(qū)域內(nèi)的碳顆粒本身非常蓬松,密度較小,很容易被此提供了一種高質(zhì)量碳化硅晶體生長(zhǎng)的方法和裝置,

碳化硅(SiC)是一種廣泛使用的老牌工業(yè)材料,1893年已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)了,今一直在使用。不過自然界中很難找到碳化硅,在隕石中的礦物...該技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得權(quán)人授權(quán)。該全部3)在碳陶剎車盤胚體表面通過CVI工藝沉積一層純碳化硅(終表面

3.名稱:一種雙溝槽的低導(dǎo)通電阻、小柵電荷的碳化硅MOSFET器件與制備方法 申請(qǐng)?zhí)?201710781888.0 發(fā)明人:張安平田凱祁金偉楊明超陳家玉旭輝...名稱:碳碳化硅坩堝及其制作工藝的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種單晶爐用碳和碳化硅復(fù)合坩堝及其制作工藝。 背景技術(shù):目前,單晶爐用坩堝基本由石墨制造,沿軸

半導(dǎo)體所有效 序號(hào) 申請(qǐng)?zhí)?發(fā)明名稱 發(fā)明人 所9 ZL.200610011228.6 碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體52 ZL.201010141024.0 采用金屬源化學(xué)...本發(fā)明具體涉及一種帶有碳化硅摩擦功能層C/C?SiC通風(fēng)剎車盤的制備工藝。該工藝不僅步驟簡(jiǎn)單、適用于大批量生產(chǎn),同時(shí)在剎車盤摩擦功能層內(nèi)部是由氣相

34、可加工羥基磷灰石+鈦硅碳生物陶瓷復(fù)合材料的制備每項(xiàng)技術(shù)資料均為國(guó)家正式全文說明書。含0427·碳化硅陶瓷技術(shù) 碳化硅陶瓷生...( 19 )中華人民 共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局 ( 12 )發(fā)明申請(qǐng) (21)申請(qǐng)?zhí)?所述制備方法包括將碳化硅漿料均勻噴涂或涂 布在碳纖維氈和碳纖維布表面,然

公告顯示,經(jīng)與中國(guó)科學(xué)院物理研究所協(xié)商,天科合達(dá)擬現(xiàn)金出資購買中國(guó)科學(xué)院物理研究所獨(dú)有以及與公司共有的碳化硅相關(guān),該部分無形資產(chǎn)評(píng)估價(jià)值102...碳化硅,碳磚及其制造方法47CN2一種碳化硅匣缽磚生產(chǎn)工藝48CN2一種黑和綠碳化硅"硅磚硅質(zhì)耐火磚制備加工生產(chǎn)工藝流程方法/配方技術(shù)資料集"詳細(xì)介紹,包括

據(jù)碳化硅陶瓷膜團(tuán)隊(duì)教授、湖北省環(huán)境材料與膜技術(shù)工程技術(shù)研究主任徐慢介紹,2017年2月,以團(tuán)隊(duì)研發(fā)的8項(xiàng)碳化硅陶瓷膜技術(shù)及,作價(jià)2128萬元技術(shù)...類型 發(fā)明 權(quán)利人 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所 中文摘要 本發(fā)明涉及耐超高溫陶瓷及其制備技術(shù),特別提供了一種鋯鋁硅碳碳化硅復(fù)合材料,以及原位反應(yīng)熱壓制備鋯

中國(guó)文獻(xiàn)CN103630708A公開了一種本發(fā)明涉及一種辨別碳化硅晶片硅碳面的方法,該方法用原子力顯微鏡測(cè)試化學(xué)拋光后的碳化硅晶片表面,根據(jù)表面的粗糙度數(shù)值確定碳硅面...中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院航天材料及工藝研究所研發(fā)的"一種碳化硅/碳化硅復(fù)合材料構(gòu)件的制備方法"獲國(guó)家發(fā)明。 采用化學(xué)氣相滲透法、漿料浸漬熱

天科合達(dá)的該項(xiàng)提出的改進(jìn)物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式生成的芯片...本技術(shù)資料提供了一種公斤級(jí)高純碳化硅粉的制備方法,步驟為,(1)將石墨坩堝鍍碳膜(2)將鍍過碳膜的石墨坩堝鍍碳化硅(3)將混合均勻后的硅粉、

C/SiC復(fù)合材料 分析 技術(shù)領(lǐng)域 分布 研發(fā)機(jī)構(gòu) 【摘要】:針對(duì)碳纖維增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料(C/Si C復(fù)合材料),檢索了相關(guān)文獻(xiàn)和,分析了...技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種辨別碳化硅晶片硅碳面的方法,屬于碳化硅晶片制造領(lǐng)域。背景技術(shù)SiC作為第三代寬帶隙(Wide Bandgap Semiconductor,WBS)半導(dǎo)體材料的代表,其具有

聚碳硅烷是碳化硅陶瓷的先驅(qū)體聚合物,是制備碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其他碳化硅材料的關(guān)鍵原材料,主要用于耐高溫、抗氧化的使用環(huán)境。上世紀(jì)80年代國(guó)防科技大學(xué)開始進(jìn)行...一種碳/碳碳化硅陶瓷基復(fù)合材料的制備方法,其特征包括下述步驟: (a)用碳纖維編制預(yù)制體,

菏澤碳化硅窯具_(dá)優(yōu)質(zhì)推薦鄒平奧翔硅碳供應(yīng),價(jià)格從優(yōu),期待與您合作。 名稱:碳化硅窯具及其制備工藝的制作方法技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種用于陶瓷爐窯...【摘要】本發(fā)明屬于碳化硅檢測(cè)領(lǐng)域,尤其涉及一種檢測(cè)碳化硅中碳化硅含量的方法。通過分析碳化硅中所含的結(jié)合碳來計(jì)算出碳化硅的含量,同時(shí)引入高頻紅外碳硫儀來方便