AlN陶瓷高壓燒結(jié)與熱壓燒結(jié)類似,只不過施加的外來壓力更高,一般稱在大于1GPa高壓下進行的燒結(jié)為高壓燒結(jié)。 其不僅能夠使材料迅速達到高致密度,具有細小晶粒,甚使晶體結(jié)構(gòu)甚原子、電子狀態(tài)發(fā)生變化,從而賦予材料在通常燒結(jié)或熱壓燒結(jié)工藝下所達不到的性能。

本文以AlN和玻璃碳為原料,以Y2O3作燒結(jié)助劑,采用熱壓燒結(jié)工藝制備了AlN-玻璃碳復相微波衰減材料,研究Y2O3含量對試樣的燒結(jié)性能、顯微結(jié)構(gòu)、導熱性能等的影響。

電子封裝用AlN燒結(jié)工藝及機理_材料科學_工程科技_專業(yè)資料 549人閱讀|27次下載 電子封裝用AlN燒結(jié)工藝及機理_材料科學_工程科技_專業(yè)資料。學位論文性聲明 學位論文性聲明 本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究工作及取得的 研究成果。

由于AlN高熱導率、極強的耐熱性、低介電常數(shù)和損耗、與 Si 匹配的線膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性,被視為有發(fā)展前景的新一代優(yōu)良絕緣散熱基片材料。若想制備出高導熱的AlN陶瓷,需要添加適當?shù)臒Y(jié)助劑。常見的AlN陶瓷助燒劑有：Y2O3、CaCO3

AlN 陶瓷 0909404045 糜宏偉 摘要：氮化鋁陶瓷的結(jié)構(gòu)性能,制備工藝即粉末的合成,成形,燒結(jié)幾個方 面詳細介紹了氮化鋁陶瓷的研究狀況, 指出低成本的粉末制備工藝和氮化鋁陶瓷 的復雜形狀成形技術是目前很有價值的氮化鋁陶瓷的研究方向。

【摘要】：利用放電等離子燒結(jié)(spark plasma sintering,SPS)工藝研究了燃燒合成法制備的2種具有不同形貌的AlN粉以及1種碳熱還原氮化法制備的市售亞微米級AlN粉的燒結(jié)性能、致密化機理以及導熱性能。結(jié)果表明:燃燒合成法制備的AlN納米晶須狀粉末具有與亞 ...

本發(fā)明涉及的是一種高溫共燒氮化鋁（AlN）陶瓷的燒結(jié)方法,屬于電子陶瓷技術領域,主要應用于多芯片組件（MCM）和大功率陶瓷基板及外殼等領域。背景技術高溫共燒陶瓷（HTCC）按照材料體系可分為氧化鋁和氮化鋁等。氮化鋁高溫共燒陶瓷的主要優(yōu)點是熱導率高、機械強度高、電性能好、無毒 ...

AlN陶瓷低溫燒結(jié)制備與性能研究_專業(yè)資料。采用兩組復合燒結(jié)助劑Y2O3-CaF2,Y2O3-CaF2-Li2CO3在1600℃燒結(jié)AlN陶瓷,對AlN陶瓷燒結(jié)密度,熱性能和電性能進行了測試,并分析了AlN陶瓷物相變化和微觀結(jié)構(gòu)。

AlN可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望

表 2 燒結(jié)曲線優(yōu)化前后 AlN 陶瓷基片主要性能 Table 2 Main performance of AlN ceramic substrate before and after optimization of sintering curve 翹曲度/‰ 熱導率/(W·m-1·K-1) 強度/MPa 密度/(g·cm-3) 介電損耗× 10-3 試 樣 前 后 前 后 前 后 前 后 前 后 1 10 1

采用無壓燒結(jié)工藝制備了SiC-AlN復相陶瓷材料,采用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡和激光導熱儀對材料的晶相、微結(jié)構(gòu)和導熱性能進行了綜合研究。實驗發(fā)現(xiàn),燒結(jié)體的密度和AlN的添加量有關。在AlN添加量低于10%(質(zhì)量比)時,燒結(jié)體的相對密度隨著AlN ...

Cheng等運用微波法燒結(jié)AlN陶瓷,以微量的Y2O3為助燒劑,在1900℃下保溫30min,密度高達99.5%。 （3）碳化物陶瓷 碳化物陶瓷的突出特點是高熔點、高硬度,并且有良好的導電和導熱性能,但高溫下易氧化,主要的碳化物陶瓷有SiC、B4C、TiC、WC

傳統(tǒng)流延成型工藝所制備出的漿料固相體積含量較低,加上干燥階段中部分有機溶劑的揮發(fā),極易導致素坯中孔隙率的增加從而使坯體結(jié)構(gòu)疏松化,弱化后期燒結(jié)效果,難以制備出高致密度、高導熱AlN陶瓷基片。 AlN…

由于添加氧化物,會引入氧雜質(zhì),不利于 AlN基板的熱學性能與機械性能的提高,如CaC 2 助燒劑與 AlN反應改變AlN與液相的界面自由能,影響AlN晶粒的生長和致密化。 圖2為不同燒結(jié)助劑對AlN陶瓷的密度和抗彎強度的影響。 圖 2 不同燒結(jié)助劑對燒結(jié)AlN陶瓷密度和抗彎強度的影響

因此,燒結(jié)AlN 陶瓷過程中,應 盡可能使相位于三叉晶界處,為此,可以通過改善 燒結(jié)工藝來實現(xiàn),如提高燒結(jié)溫度、延長保溫時間、 熱處理等。 另外, 燒結(jié)過程中引入的燒結(jié)助劑與AlN 粉體中的 Al2O3 發(fā)生反應,形成低熱導率的晶界相(如 Y3Al5O12的熱導率僅為11W/ (m ·K) ) 。

圖 2 Ti-Al-Al 2O 3 粉體的燒結(jié)性能 Fig. 2 Relative densities of the Ti-Al-Al 2O 3 powders of different contents at different sintering temperatures 2. 3 材料的力學性能 圖3( a) 是20 wt% (AlN, TiN) -Al 2O 3 在不同溫 度燒結(jié)后的硬度值, 結(jié)果表明, 該配比在

除了AlN晶格缺陷對其熱導率的影響外,晶粒尺寸、形貌和晶界相的含量及分布對AlN陶瓷熱導率也有著重要影響。晶粒尺寸越大,聲子平均自由度越大,燒結(jié)出的AlN陶瓷熱導率越高,但根據(jù)燒結(jié)理論,晶粒越大,聚晶體陶瓷越難燒結(jié)。