AlN陶瓷高壓燒結(jié)與熱壓燒結(jié)類(lèi)似,只不過(guò)施加的外來(lái)壓力更高,一般稱(chēng)在大于1GPa高壓下進(jìn)行的燒結(jié)為高壓燒結(jié)。 其不僅能夠使材料迅速達(dá)到高致密度,具有細(xì)小晶粒,甚使晶體結(jié)構(gòu)甚原子、電子狀態(tài)發(fā)生變化,從而賦予材料在通常燒結(jié)或熱壓燒結(jié)工藝下所達(dá)不到的性能。

本文以AlN和玻璃碳為原料,以Y2O3作燒結(jié)助劑,采用熱壓燒結(jié)工藝制備了AlN-玻璃碳復(fù)相微波衰減材料,研究Y2O3含量對(duì)試樣的燒結(jié)性能、顯微結(jié)構(gòu)、導(dǎo)熱性能等的影響。

電子封裝用AlN燒結(jié)工藝及機(jī)理_材料科學(xué)_工程科技_專(zhuān)業(yè)資料 549人閱讀|27次下載 電子封裝用AlN燒結(jié)工藝及機(jī)理_材料科學(xué)_工程科技_專(zhuān)業(yè)資料。學(xué)位論文性聲明 學(xué)位論文性聲明 本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的 研究成果。

由于AlN高熱導(dǎo)率、極強(qiáng)的耐熱性、低介電常數(shù)和損耗、與 Si 匹配的線(xiàn)膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性,被視為有發(fā)展前景的新一代優(yōu)良絕緣散熱基片材料。若想制備出高導(dǎo)熱的AlN陶瓷,需要添加適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑。常見(jiàn)的AlN陶瓷助燒劑有：Y2O3、CaCO3

AlN 陶瓷 0909404045 糜宏偉 摘要：氮化鋁陶瓷的結(jié)構(gòu)性能,制備工藝即粉末的合成,成形,燒結(jié)幾個(gè)方 面詳細(xì)介紹了氮化鋁陶瓷的研究狀況, 指出低成本的粉末制備工藝和氮化鋁陶瓷 的復(fù)雜形狀成形技術(shù)是目前很有價(jià)值的氮化鋁陶瓷的研究方向。

【摘要】：利用放電等離子燒結(jié)(spark plasma sintering,SPS)工藝研究了燃燒合成法制備的2種具有不同形貌的AlN粉以及1種碳熱還原氮化法制備的市售亞微米級(jí)AlN粉的燒結(jié)性能、致密化機(jī)理以及導(dǎo)熱性能。結(jié)果表明:燃燒合成法制備的AlN納米晶須狀粉末具有與亞 ...

本發(fā)明涉及的是一種高溫共燒氮化鋁（AlN）陶瓷的燒結(jié)方法,屬于電子陶瓷技術(shù)領(lǐng)域,主要應(yīng)用于多芯片組件（MCM）和大功率陶瓷基板及外殼等領(lǐng)域。背景技術(shù)高溫共燒陶瓷（HTCC）按照材料體系可分為氧化鋁和氮化鋁等。氮化鋁高溫共燒陶瓷的主要優(yōu)點(diǎn)是熱導(dǎo)率高、機(jī)械強(qiáng)度高、電性能好、無(wú)毒 ...

AlN陶瓷低溫?zé)Y(jié)制備與性能研究_專(zhuān)業(yè)資料。采用兩組復(fù)合燒結(jié)助劑Y2O3-CaF2,Y2O3-CaF2-Li2CO3在1600℃燒結(jié)AlN陶瓷,對(duì)AlN陶瓷燒結(jié)密度,熱性能和電性能進(jìn)行了測(cè)試,并分析了AlN陶瓷物相變化和微觀(guān)結(jié)構(gòu)。

AlN可穩(wěn)定到2200℃。室溫強(qiáng)度高,且強(qiáng)度隨溫度的升高下降較慢。導(dǎo)熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強(qiáng),是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望

表 2 燒結(jié)曲線(xiàn)優(yōu)化前后 AlN 陶瓷基片主要性能 Table 2 Main performance of AlN ceramic substrate before and after optimization of sintering curve 翹曲度/‰ 熱導(dǎo)率/(W·m-1·K-1) 強(qiáng)度/MPa 密度/(g·cm-3) 介電損耗× 10-3 試 樣 前 后 前 后 前 后 前 后 前 后 1 10 1

采用無(wú)壓燒結(jié)工藝制備了SiC-AlN復(fù)相陶瓷材料,采用X射線(xiàn)衍射(XRD)、掃描電鏡和激光導(dǎo)熱儀對(duì)材料的晶相、微結(jié)構(gòu)和導(dǎo)熱性能進(jìn)行了綜合研究。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),燒結(jié)體的密度和AlN的添加量有關(guān)。在AlN添加量低于10%(質(zhì)量比)時(shí),燒結(jié)體的相對(duì)密度隨著AlN ...

Cheng等運(yùn)用微波法燒結(jié)AlN陶瓷,以微量的Y2O3為助燒劑,在1900℃下保溫30min,密度高達(dá)99.5%。 （3）碳化物陶瓷 碳化物陶瓷的突出特點(diǎn)是高熔點(diǎn)、高硬度,并且有良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能,但高溫下易氧化,主要的碳化物陶瓷有SiC、B4C、TiC、WC

傳統(tǒng)流延成型工藝所制備出的漿料固相體積含量較低,加上干燥階段中部分有機(jī)溶劑的揮發(fā),極易導(dǎo)致素坯中孔隙率的增加從而使坯體結(jié)構(gòu)疏松化,弱化后期燒結(jié)效果,難以制備出高致密度、高導(dǎo)熱AlN陶瓷基片。 AlN…

由于添加氧化物,會(huì)引入氧雜質(zhì),不利于 AlN基板的熱學(xué)性能與機(jī)械性能的提高,如CaC 2 助燒劑與 AlN反應(yīng)改變AlN與液相的界面自由能,影響AlN晶粒的生長(zhǎng)和致密化。 圖2為不同燒結(jié)助劑對(duì)AlN陶瓷的密度和抗彎強(qiáng)度的影響。 圖 2 不同燒結(jié)助劑對(duì)燒結(jié)AlN陶瓷密度和抗彎強(qiáng)度的影響

因此,燒結(jié)AlN 陶瓷過(guò)程中,應(yīng) 盡可能使相位于三叉晶界處,為此,可以通過(guò)改善 燒結(jié)工藝來(lái)實(shí)現(xiàn),如提高燒結(jié)溫度、延長(zhǎng)保溫時(shí)間、 熱處理等。 另外, 燒結(jié)過(guò)程中引入的燒結(jié)助劑與AlN 粉體中的 Al2O3 發(fā)生反應(yīng),形成低熱導(dǎo)率的晶界相(如 Y3Al5O12的熱導(dǎo)率僅為11W/ (m ·K) ) 。

圖 2 Ti-Al-Al 2O 3 粉體的燒結(jié)性能 Fig. 2 Relative densities of the Ti-Al-Al 2O 3 powders of different contents at different sintering temperatures 2. 3 材料的力學(xué)性能 圖3( a) 是20 wt% (AlN, TiN) -Al 2O 3 在不同溫 度燒結(jié)后的硬度值, 結(jié)果表明, 該配比在

除了AlN晶格缺陷對(duì)其熱導(dǎo)率的影響外,晶粒尺寸、形貌和晶界相的含量及分布對(duì)AlN陶瓷熱導(dǎo)率也有著重要影響。晶粒尺寸越大,聲子平均自由度越大,燒結(jié)出的AlN陶瓷熱導(dǎo)率越高,但根據(jù)燒結(jié)理論,晶粒越大,聚晶體陶瓷越難燒結(jié)。